Transistor bipolaire 2SB1226

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1226

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 1500
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1226

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1226 peut n'être marqué que B1226.

Complémentaire du transistor 2SB1226

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1226 est le 2SD1828.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1226

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1226 par 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1252-Q, 2SB1626, 2SB1626-O, 2SB1626-P, 2SB1626-Y, 2SB601, 2SB601-K, 2SB601-L, 2SB601-M, 2SB673, 2SB884, 2SB885, 2SB886, MJF127, MJF127G, MJF6668, MJF6668G ou TTB1020B.
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