Transistor bipolaire BSP62T3G
Caractéristiques électriques du transistor BSP62T3G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -90 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
- Gain de courant (hfe): 1000
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: SOT-223
- Le BSP62T3G est la version sans plomb du transistor BSP62T3
Brochage du BSP62T3G
Complémentaire du transistor BSP62T3G
Substituts et équivalents pour le transistor BSP62T3G
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