Transistor bipolaire BSP62T3G

Caractéristiques électriques du transistor BSP62T3G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -90 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223
  • Le BSP62T3G est la version sans plomb du transistor BSP62T3

Brochage du BSP62T3G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BSP62T3G

Le transistor NPN complémentaire du BSP62T3G est le BSP52T3G.

Substituts et équivalents pour le transistor BSP62T3G

Vous pouvez remplacer le transistor BSP62T3G par BSP62, BSP62T1, BSP62T1G ou BSP62T3.
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