Transistor bipolaire 2SB751A

Caractéristiques électriques du transistor 2SB751A

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 1000 à 10000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB751A

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB751A peut avoir un gain en courant continu de 1000 à 10000. Le gain en courant continu du 2SB751A-P est compris entre 4000 à 10000, celui du 2SB751A-Q entre 2000 à 5000, celui du 2SB751A-R entre 1000 à 2500.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB751A peut n'être marqué que B751A.

Complémentaire du transistor 2SB751A

Le transistor NPN complémentaire du 2SB751A est le 2SD837A.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB751A

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB751A par 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1488A, 2SA771, 2SB1481, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24B, BDW24C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54B, BDW54C, BDW54D, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF15031, MJF15031G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP146T ou TIP147T.
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