Transistor bipolaire MJF6668G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 3000 à 15000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F
• Le MJF6668G est la version sans plomb du transistor MJF6668

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJF6668G est le MJF6388G.Vous pouvez remplacer le transistor MJF6668G par BD546C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48 ou MJF6668.