Transistor bipolaire 2SB951A-P

Caractéristiques électriques du transistor 2SB951A-P

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 45 W
  • Gain de courant (hfe): 4000 à 10000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB951A-P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB951A-P peut avoir un gain en courant continu de 4000 à 10000. Le gain en courant continu du 2SB951A est compris entre 2000 à 10000, celui du 2SB951A-Q entre 2000 à 5000.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB951A-P peut n'être marqué que B951A-P.

Complémentaire du transistor 2SB951A-P

Le transistor NPN complémentaire du 2SB951A-P est le 2SD1277A-P.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB951A-P

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB951A-P par 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1228, 2SB886, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF6668, MJF6668G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP146T ou TIP147T.
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