Transistor bipolaire 2SB673
Caractéristiques électriques du transistor 2SB673
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -7 A
- Dissipation de puissance maximum: 40 W
- Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du 2SB673
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB673 peut n'être marqué que
B673.
Complémentaire du transistor 2SB673
Le transistor
NPN complémentaire du 2SB673 est le
2SD633.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB673
Vous pouvez remplacer le transistor 2SB673 par
2N6042,
2N6042G,
2SB1020,
2SB1020A,
2SB1228,
2SB886,
BD544C,
BD546C,
BD650,
BD652,
BD802,
BD902,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64B,
BDT64C,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW74C,
BDW74D,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54C,
BDX54CG,
BDX54D,
BDX54E,
BDX54F,
MJE15029,
MJE15029G,
MJE15031,
MJE15031G,
MJF15031,
MJF15031G,
TIP107,
TIP107G,
TIP137,
TIP137G,
TIP147T ou
TTB1020B.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com