Transistor bipolaire 2SB673

Caractéristiques électriques du transistor 2SB673

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB673

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB673 peut n'être marqué que B673.

Complémentaire du transistor 2SB673

Le transistor NPN complémentaire du 2SB673 est le 2SD633.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB673

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB673 par 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1228, 2SB886, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G, TIP147T ou TTB1020B.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com