Transistor bipolaire TTB1020B
Caractéristiques électriques du transistor TTB1020B
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -7 A
- Dissipation de puissance maximum: 30 W
- Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
Brochage du TTB1020B
Complémentaire du transistor TTB1020B
Substituts et équivalents pour le transistor TTB1020B
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