Transistor bipolaire TTB1020B

Caractéristiques électriques du transistor TTB1020B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du TTB1020B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor TTB1020B

Le transistor NPN complémentaire du TTB1020B est le TTD1415B.

Substituts et équivalents pour le transistor TTB1020B

Vous pouvez remplacer le transistor TTB1020B par 2N6042, 2N6042G, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1228, 2SB673, 2SB886, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G ou TIP147T.
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