Transistor bipolaire 2SB1227

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1227

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -110 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 1500
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1227

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1227 peut n'être marqué que B1227.

Complémentaire du transistor 2SB1227

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1227 est le 2SD1829.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1227

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1227 par 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1228, 2SB1252, 2SB1252-P, 2SB1252-Q, 2SB1626, 2SB1626-O, 2SB1626-P, 2SB1626-Y, 2SB601, 2SB601-K, 2SB601-L, 2SB601-M, 2SB673, 2SB885, 2SB886, MJF127, MJF127G, MJF6668, MJF6668G ou TTB1020B.
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