Transistor bipolaire BDT62A

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT62A est le BDT63A.Vous pouvez remplacer le transistor BDT62A par 2N6668, 2N6668G, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G, TIP146T ou TIP147T.