Transistor bipolaire BSP62T1G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -90 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: SOT-223
• Le BSP62T1G est la version sans plomb du transistor BSP62T1

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BSP62T1G est le BSP52T1G.Vous pouvez remplacer le transistor BSP62T1G par BSP62, BSP62T1, BSP62T3 ou BSP62T3G.