Transistor bipolaire MJF6668

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 40 W
• Gain de courant (h_fe): 3000 à 15000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJF6668 est le MJF6388.Vous pouvez remplacer le transistor MJF6668 par BD546C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48 ou MJF6668G.Le transistor MJF6668G est la version sans plomb du MJF6668.