Transistor bipolaire BDW47G

Caractéristiques électriques du transistor BDW47G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 85 W
  • Gain de courant (hfe): 1000
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le BDW47G est la version sans plomb du transistor BDW47

Brochage du BDW47G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDW47G equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDW47G

Le transistor NPN complémentaire du BDW47G est le BDW42G.

Substituts et équivalents pour le transistor BDW47G

Vous pouvez remplacer le transistor BDW47G par BDW47, BDW48, MJF6668 ou MJF6668G.
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