Transistor bipolaire 2N6668G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 65 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le 2N6668G est la version sans plomb du transistor 2N6668

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N6668G est le 2N6388G.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6668G par 2N6668, BD546B, BD546C, BD810, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, TIP146T ou TIP147T.