Transistor bipolaire BDT62B

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 1000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du BDT62B est le BDT63B.Vous pouvez remplacer le transistor BDT62B par BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G ou TIP147T.