Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BD536
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor BD536 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 0. La ganancia del BD536J estará en el rango de 30 a 75, para el BD536K estará en el rango de 40 a 100.
Transistor NPN complementario
El transistor NPN complementario del BD536 es el BD535.
Versión SMD del transistor BD536
El STN951 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD536.
Sustitución y equivalentes para el transistor BD536