Transistor bipolar 2SB951-P

Características del transistor 2SB951-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 45 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 4000 a 10000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del 2SB951-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB951-P puede tener una ganancia de corriente de 4000 a 10000. La ganancia del 2SB951 estará en el rango de 2000 a 10000, para el 2SB951-Q estará en el rango de 2000 a 5000.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB951-P puede estar marcado sólo como "B951-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB951-P es el 2SD1277-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB951-P

Puede sustituir el 2SB951-P por el 2N6040, 2N6040G, 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1225, 2SB1228, 2SB882, 2SB886, 2SB951A, 2SB951A-P, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD646, BD648, BD650, BD652, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD898, BD898A, BD900, BD900A, BD902, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74A, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54A, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX78, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029, MJE15029G, MJF6668, MJF6668G, TIP105, TIP105G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP135, TIP135G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP145T, TIP146T o TIP147T.
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