Transistor bipolar MJF6668G
Características del transistor MJF6668G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 3000 a 15000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220F
- El MJF6668G es la versión sin plomo del transistor MJF6668
Diagrama de pines del MJF6668G
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor MJF6668G
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