Transistor bipolar MJF6668G

Características del transistor MJF6668G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 3000 a 15000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • El MJF6668G es la versión sin plomo del transistor MJF6668

Diagrama de pines del MJF6668G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJF6668G es el MJF6388G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJF6668G

Puede sustituir el MJF6668G por el BD546C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48 o MJF6668.
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