Transistor bipolar MJF6668

Características del transistor MJF6668

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 3000 a 15000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del MJF6668

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del MJF6668 es el MJF6388.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJF6668

Puede sustituir el MJF6668 por el BD546C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48 o MJF6668G.

Versión sin plomo

El transistor MJF6668G es la versión sin plomo del MJF6668.
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