Transistor bipolar 2N6668G
Características del transistor 2N6668G
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 65 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 20000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
- El 2N6668G es la versión sin plomo del transistor 2N6668
Diagrama de pines del 2N6668G
Equivalent circuit
![2N6668G equivalent circuit](/images/bipolar-transistor/2n6668g-equivalent-circuit.jpg)
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6668G
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