Transistor bipolar BD648
Características del transistor BD648
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 62.5 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BD648
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor NPN complementario
El transistor
NPN complementario del BD648 es el
BD647.
Sustitución y equivalentes para el transistor BD648
Puede sustituir el BD648 por el
2N6041,
2N6041G,
2N6042,
2N6042G,
2N6668,
2N6668G,
2SB1228,
2SB886,
2SB951A,
2SB951A-P,
2SB951A-Q,
BD650,
BD652,
BD900,
BD900A,
BD902,
BDT62A,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64A,
BDT64B,
BDT64C,
BDW46,
BDW46G,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW74B,
BDW74C,
BDW74D,
BDW94B,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54B,
BDX54BG,
BDX54C,
BDX54CG,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP106,
TIP106G,
TIP107,
TIP107G,
TIP136,
TIP136G,
TIP137,
TIP137G,
TIP146T o
TIP147T.
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