Transistor bipolar 2N6667

Características del transistor 2N6667

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 65 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2N6667

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

2N6667 equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2N6667 es el 2N6387.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6667

Puede sustituir el 2N6667 por el 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, BD546A, BD546B, BD546C, BD808, BD810, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, D45H8, TIP145T, TIP146T o TIP147T.

Versión sin plomo

El transistor 2N6667G es la versión sin plomo del 2N6667.
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