Transistor bipolar BD538K

Características del transistor BD538K

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD538K

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD538K puede tener una ganancia de corriente de 40 a 100. La ganancia del BD538 estará en el rango de 40 a 0, para el BD538J estará en el rango de 30 a 75.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD538K es el BD537K.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD538K

Puede sustituir el BD538K por el 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955 o MJF2955G.
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