Transistor bipolar 2N6667G

Características del transistor 2N6667G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 65 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El 2N6667G es la versión sin plomo del transistor 2N6667

Diagrama de pines del 2N6667G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

2N6667G equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2N6667G es el 2N6387G.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6667G

Puede sustituir el 2N6667G por el 2N6667, 2N6668, 2N6668G, BD546A, BD546B, BD546C, BD808, BD810, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, D45H8, TIP145T, TIP146T o TIP147T.
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