Transistor bipolar BDT82

Características del transistor BDT82

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT82

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT82 es el BDT81.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT82

Puede sustituir el BDT82 por el 2SA1744, 2SA1744-K, 2SA1744-L, 2SA1744-M, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 o MJF6668G.
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