Transistor bipolar BDT64B

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
• Disipación de Potencia Máxima: 125 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del BDT64B es el BDT65B.Puede sustituir el BDT64B por el BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668 o MJF6668G.