Transistor bipolar BD650

Características del transistor BD650

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 62.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD650

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD650 es el BD649.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD650

Puede sustituir el BD650 por el 2N6042, 2N6042G, 2SB1228, 2SB886, BD652, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDW94C, BDW94CF, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G o TIP147T.
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