Transistor bipolar BDT62B

Características del transistor BDT62B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT62B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT62B es el BDT63B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT62B

Puede sustituir el BDT62B por el BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G o TIP147T.
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