Transistor bipolar BDT62

Características del transistor BDT62

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT62

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT62 es el BDT63.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT62

Puede sustituir el BDT62 por el 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, 2SB1225, 2SB882, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G, TIP145T, TIP146T o TIP147T.
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