Transistor bipolar BD536J

Características del transistor BD536J

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 75
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD536J

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD536J puede tener una ganancia de corriente de 30 a 75. La ganancia del BD536 estará en el rango de 40 a 0, para el BD536K estará en el rango de 40 a 100.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD536J es el BD535J.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD536J

Puede sustituir el BD536J por el 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD538J, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955 o MJF2955G.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD533K: 50 watts
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com