Transistor bipolar BD536K

Características del transistor BD536K

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD536K

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD536K puede tener una ganancia de corriente de 40 a 100. La ganancia del BD536 estará en el rango de 40 a 0, para el BD536J estará en el rango de 30 a 75.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD536K es el BD535K.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD536K

Puede sustituir el BD536K por el 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD538, BD538K, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJF2955 o MJF2955G.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD534: 50 watts
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