Transistor bipolar BDT64C

Características del transistor BDT64C

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT64C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT64C es el BDT65C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT64C

Puede sustituir el BDT64C por el BDW48.
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