Bipolartransistor BD379-6

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD379-6

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 100
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD379-6

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD379-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD379 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD379-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD379-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD379-25 im Bereich von 150 bis 375.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD379-6 ist der BD380-6.

SMD-Version des Transistors BD379-6

Der BCP56 (SOT-223) ist die SMD-Version des BD379-6-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD379-6

Sie können den Transistor BD379-6 durch einen 2N4923, 2N4923G, BD179, BD237, BD237G, BD441, BD441G, BD789, BD791, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G oder MJE244 ersetzen.
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