Bipolartransistor BD375-6

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD375-6

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 100
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD375-6

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD375-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD375 liegt im Bereich von 40 bis 375, die des BD375-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD375-16 im Bereich von 100 bis 250, die des BD375-25 im Bereich von 150 bis 375.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD375-6 ist der BD376-6.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD375-6

Sie können den Transistor BD375-6 durch einen 2N4922, 2N4922G, 2N4923, 2N4923G, 2N5191, 2N5191G, BD131, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD377, BD377-6, BD379, BD379-6, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD441, BD441G, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE223, MJE224, MJE225, MJE240, MJE241 oder MJE242 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com