Bipolartransistor BCW61B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW61B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -32 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 310
  • Rauschzahl, max: 6 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW61B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW61B ist der BCW60B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW61B

Sie können den Transistor BCW61B durch einen 2SA1036, 2SA1036-R, 2SA1037, 2SA1037-R, 2SA1162, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA1832, 2SA812, 2SB709A, 2SB709A-Q, 2SB709A-R, 2SB709A-S, 2SB710A, 2SB710A-S, 2STR2160, BC807, BC807-25, BC857, BC860, BCW67, BCW67B, BCW68, BCW68G, BCX17, BCX71H, FMMTA55, KSA812, KST55, KTA1504, KTA1504S, MMBT200, MMBT4354, MMBT4355, MMBTA55 oder SMBTA55 ersetzen.
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