Bipolartransistor BCW61B
Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW61B
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -32 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.35 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 310
- Rauschzahl, max: 6 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des BCW61B
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW61B
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