Bipolartransistor BCW68G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW68G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW68G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW68G kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW68 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW68F im Bereich von 100 bis 250, die des BCW68H im Bereich von 250 bis 630.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW68G ist der BCW66G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW68G

Sie können den Transistor BCW68G durch einen MMBT4354 oder MMBT4355 ersetzen.
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