Bipolartransistor 2SA1162

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SA1162

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.15 A
  • Verlustleistung, max: 0.15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 80 MHz
  • Rauschzahl, max: 1 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SA1162

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SA1162 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SA1162-GR liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SA1162-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SA1162-Y im Bereich von 120 bis 240.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SA1162-Transistor könnte nur mit "A1162" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SA1162 ist der 2SC2712.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SA1162

Sie können den Transistor 2SA1162 durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA1832, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56, KTA1504, KTA1504S oder MMBT4354 ersetzen.
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