Bipolartransistor BCW67

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
• Verlustleistung, max: 0.35 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 630
• Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: SOT-23

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BCW67 kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 630 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW67A liegt im Bereich von 100 bis 250, die des BCW67B im Bereich von 160 bis 400, die des BCW67C im Bereich von 250 bis 630.Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW67 ist der BCW65.Sie können den Transistor BCW67 durch einen BCW68 ersetzen.