Bipolartransistor BCW60B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW60B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 32 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 180 bis 310
  • Übergangsfrequenz, min: 125 MHz
  • Rauschzahl, max: 6 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW60B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BCW60B ist der BCW61B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW60B

Sie können den Transistor BCW60B durch einen 2SC1623, 2SC2412, 2SC2412-R, 2SC2712, 2SC3441, 2SC3912, 2SC3913, 2SC3914, 2SC3915, 2SC4738, 2SD601A, 2SD602A, 2SD602A-S, 2STR1160, BC817, BC817-25, BC847, BC850, BCW65, BCW65B, BCW66, BCW66G, BCX19, BCX70H, FMMT619, FMMTA05, KSC1623, KST05, KTC3875, KTC3875S, MMBT100, MMBT2484, MMBT3904L, MMBTA05 oder SMBTA05 ersetzen.
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