Bipolartransistor 2SB710A
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB710A
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
- Verlustleistung, max: 0.2 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 340
- Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SB710A
Klassifizierung von hFE
Kennzeichnung
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB710A
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