Bipolartransistor 2SB710A

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB710A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 85 bis 340
  • Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des 2SB710A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB710A kann eine Gleichstromverstärkung von 85 bis 340 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB710A-Q liegt im Bereich von 85 bis 170, die des 2SB710A-R im Bereich von 120 bis 240, die des 2SB710A-S im Bereich von 170 bis 340.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB710A-Transistor könnte nur mit "B710A" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB710A ist der 2SD602A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB710A

Sie können den Transistor 2SB710A durch einen 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, FMMTA55, FMMTA56, KST55, KST56 oder MMBT4354 ersetzen.
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