Bipolartransistor BCW67B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BCW67B

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -32 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.8 A
  • Verlustleistung, max: 0.35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-23

Pinbelegung des BCW67B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BCW67B kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BCW67 liegt im Bereich von 100 bis 630, die des BCW67A im Bereich von 100 bis 250, die des BCW67C im Bereich von 250 bis 630.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BCW67B ist der BCW65B.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BCW67B

Sie können den Transistor BCW67B durch einen BCW68, BCW68G, MMBT4354 oder MMBT4355 ersetzen.
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