Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB710A-S
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.5 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 170 bis 340
Übergangsfrequenz, min: 200 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: SOT-23
Pinbelegung des 2SB710A-S
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB710A-S kann eine Gleichstromverstärkung von 170 bis 340 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB710A liegt im Bereich von 85 bis 340, die des 2SB710A-Q im Bereich von 85 bis 170, die des 2SB710A-R im Bereich von 120 bis 240.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB710A-S-Transistor könnte nur mit "B710A-S" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB710A-S ist der 2SD602A-S.
