Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD985-K
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 30000
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SD985-K
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD985-K kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD985 liegt im Bereich von 2000 bis 30000, die des 2SD985-L im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SD985-M im Bereich von 2000 bis 5000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD985-K-Transistor könnte nur mit "D985-K" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD985-K ist der 2SB794-K.
