Bipolartransistor 2SD986-K

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD986-K

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 30000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SD986-K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD986-K kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD986 liegt im Bereich von 2000 bis 30000, die des 2SD986-L im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SD986-M im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD986-K-Transistor könnte nur mit "D986-K" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD986-K ist der 2SB795-K.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD986-K

Sie können den Transistor 2SD986-K durch einen 2SD1509, BD169, BD237, BD237G, BD679, BD679A, BD679AG, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSB986, KSB986-Y, KSE802, KSE803, MJE242, MJE244, MJE270, MJE270G, MJE722, MJE802, MJE802G, MJE803 oder MJE803G ersetzen.
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