Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1913S
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 20 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 140 bis 280
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD1913S
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD1913S kann eine Gleichstromverstärkung von 140 bis 280 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1913 liegt im Bereich von 70 bis 280, die des 2SD1913Q im Bereich von 70 bis 120, die des 2SD1913R im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1913S-Transistor könnte nur mit "D1913S" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1913S ist der 2SB1274S.
SMD-Version des Transistors 2SD1913S
Der BDP949 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1913S-Transistors.