Bipolartransistor 2SD363-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 300 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 6 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 80
• Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD363-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 80 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD363 liegt im Bereich von 40 bis 240, die des 2SD363-O im Bereich von 70 bis 140, die des 2SD363-Y im Bereich von 120 bis 240.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD363-R-Transistor könnte nur mit "D363-R" gekennzeichnet sein.Sie können den Transistor 2SD363-R durch einen BDT87, BDT87F, KSD363, KSD363-R, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE5180, MJE5181, MJE5182, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.