Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB953A-Q
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
Verlustleistung, max: 30 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-220F
Pinbelegung des 2SB953A-Q
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB953A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB953A liegt im Bereich von 90 bis 260, die des 2SB953A-P im Bereich von 130 bis 260.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB953A-Q-Transistor könnte nur mit "B953A-Q" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB953A-Q ist der 2SD1444A-Q.