Bipolartransistor 2SB870-Q

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -130 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 90 bis 180
• Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB870-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB870 liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB870-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB870-R im Bereich von 60 bis 120.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB870-Q-Transistor könnte nur mit "B870-Q" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB870-Q ist der 2SD866-Q.Sie können den Transistor 2SB870-Q durch einen 2SA1010, 2SA1077, 2SA1329, 2SA1452, 2SA1452A, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB708, 2SB946, 2SB946-Q, 2SB992, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, D45H11, D45H11FP, KSA1010, KSB708, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 oder MJF15031G ersetzen.