Bipolartransistor 2SB947A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB947A-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -40 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 35 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 180
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB947A-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB947A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 180 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB947A liegt im Bereich von 60 bis 260, die des 2SB947A-P im Bereich von 130 bis 260, die des 2SB947A-R im Bereich von 60 bis 120.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB947A-Q-Transistor könnte nur mit "B947A-Q" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB947A-Q

Sie können den Transistor 2SB947A-Q durch einen 2SA1291, 2SA1328, 2SA1329, 2SA1451, 2SA1451A, 2SA1452, 2SA1452A, 2SA1471, 2SB1136, 2SB826, 2SB948A, 2SB948A-Q, BD546, BD546A, BD546B, BD808, BD810, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, D45H11, D45H11FP oder D45H8 ersetzen.
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