Bipolartransistor 2SB795-K

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB795-K

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 30000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des 2SB795-K

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB795-K kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB795 liegt im Bereich von 2000 bis 30000, die des 2SB795-L im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SB795-M im Bereich von 2000 bis 5000.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB795-K-Transistor könnte nur mit "B795-K" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB795-K ist der 2SD986-K.

SMD-Version des Transistors 2SB795-K

Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB795-K-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB795-K

Sie können den Transistor 2SB795-K durch einen 2SB1067, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB795, KSB795-Y, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G oder MJE712 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com