Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB795-K
Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -1.5 A
Verlustleistung, max: 10 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 8000 bis 30000
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des 2SB795-K
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SB795-K kann eine Gleichstromverstärkung von 8000 bis 30000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB795 liegt im Bereich von 2000 bis 30000, die des 2SB795-L im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SB795-M im Bereich von 2000 bis 5000.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB795-K-Transistor könnte nur mit "B795-K" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB795-K ist der 2SD986-K.
SMD-Version des Transistors 2SB795-K
Der BSP62 (SOT-223), BSP62T1 (SOT-223), BSP62T1G (SOT-223), BSP62T3 (SOT-223) und BSP62T3G (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB795-K-Transistors.
