Bipolartransistor 2SB1142-R

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -50 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -2.5 A
• Verlustleistung, max: 10 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB1142-R kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB1142 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des 2SB1142-S im Bereich von 140 bis 280, die des 2SB1142-T im Bereich von 200 bis 400.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1142-R-Transistor könnte nur mit "B1142-R" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1142-R ist der 2SD1682-R.Der 2SB1123 (SOT-89) und 2SB1123-R (SOT-89) ist die SMD-Version des 2SB1142-R-Transistors.Sie können den Transistor 2SB1142-R durch einen 2SB1143, 2SB1143-R, 2SB1165, 2SB1165-R, 2SB1166, 2SB1166-R, 2SB1167, 2SB1167-R, 2SB1168, 2SB1168-R, 2SB744A, 2SB744A-O, 2SB986, 2SB986-R, BD178, BD180, BD180G, BD190, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744A, KSB744A-O, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE252 oder MJE254 ersetzen.